机构Yole数据显示，2022年GaN功率器件在总功率半导体（功率芯片、功率分立器件和模块）市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高（59%），Yole预计到2027年，GaN器件将达到整个功率半导体市场的2.7%，市场规模仅为20.36亿美元。

图注：GaN市场预测（芯查查制表，数据来源：Yole）作为第三代半导体材料，GaN被看好是因为其具有比硅更佳的电气特性，另一个关键点是成本在逐步降低，市场趋势表明，GaN器件将在成本上与MOSFET相媲美。新能源、数据中心是GaN主要市场驱动力GaN目前与消费电子、5G基站、新能源领域有比较深度的融合。

在消费电子领域，GaN快充电源市场接受度高，相比硅基功率器件的充电器更小更轻；GaN在消费电子领域正在改变的另一个产品是MicroLED，GaN具有较好的光学和电气性能，可实现高亮度水平和宽色域。

5G基站也是GaN的应用领域，主要产品为GaN功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势，与传统通信芯片相比，具备更优秀的功率效率、功率密度和宽频信号处理能力。一个5G基站往往使用多个GaN，同时5G基站的投资建设仍在持续，工信部的数据显示，2022年我国新建5G基站88.7万个，2023年将新建5G基站60万个。

图注：成熟的GaN产品以射频器件、电源产品居多（图片来源：芯查查）

新能源和数据中心是GaN市场增长的驱动力。新能源领域，汽车电动化推动GaN功率器件商业化，这些产品提供更高的击穿电压、更高的电子移动性，并且需要更少的热管理，传统的汽车功率器件采用的是硅基功率MOSFET或绝缘栅双极晶体管（IGBT）。此外，GaN太阳能电池被认为是未来光伏领域的重要技术之一。在风电领域，GaN可以用于制造功率变流器和逆变器。

数据中心需要大量电力供应和高效能源管理，GaN功率器件可以提供更高效的电力转换和更小尺寸的设备，降低能源消耗、减少空间占用，此外，GaN用于数据中心的高速通信模块，提供更快速、稳定和可靠的数据传输。GaN功率器件产业链格局：英飞凌投入加大，英诺赛科异军突起GaN功率器件的主要厂商包括Power Integrations（PI）、纳微（Navitas）、英诺赛科（Innoscience）、宜普电源转换公司（EPC）、Transphorm、英飞凌（Infineon）等。

图注：GaN功率器件厂商市场份额（芯查查制表，数据来源：TrendForce、Khaveen Investments）

对比GaN器件的最大额定电压，PI、Navitas和TI的GaN的工作电压能达到900V电压，紧随其后的是纳微和英诺赛科的650V解决方案，以及英飞凌的600V解决方案，EPC则为350V。

在产能扩充方面，英飞凌近两年的投入显著。2022年，英飞凌宣布对前端晶圆厂产能进行20亿欧元的扩建，预计当该设施全面投入运营时，SiC和GaN产品的年收入将增加20亿欧元。2022年PI支出仅为3920万美元，远小于英飞凌投资。进入2023年，英飞凌又收购了GaN systems。此外，2020年-2021年英诺赛科的市场份额变化较大，从6%增加到20%， 芯片采购平台而被挤兑的EPC市场份额则出现下降。

图注：GaN产业近期收购、扩产事件（芯查查制表，不完全统计）GaN器件的主要国内厂商在国内GaN器件制造方面，IDM模式的代表厂商有英诺赛科、三安光电、华润微、安世半导体、苏州能讯、江苏能华、大连芯冠科技等公司。GaN产业链上下游厂商还包括天岳先进、聚灿光电、士兰微、富满微、金溢科技、利亚德、北方华创、扬杰科技、赛微电子、华灿光电、新洁能等。1、英诺赛科

英诺赛科研发制造硅基GaN外延及器件，采用IDM模式，建立了高产能的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。官方数据显示，截至2023年8月，英诺赛科GaN芯片出货量成功突破3亿颗。英诺赛科产品在消费类（快充、手机、LED）、汽车激光雷达、数据中心、新能源与储能领域的多个应用中大批量交付。

近期，英诺赛科针对汽车电子中的48V轻混系统应用，英诺赛科推出了2.4kW双向buck/boost参考设计，其中使用了INN100W032A芯片，耐压100V，导阻3.2mΩ的增强型InnoGaN器件，采用WLCSP 3.5mmx2.13mm封装，与Si器件相比，INN100W032A具备更低的导通电阻、极低的栅极电荷以及无反向恢复损耗等特性，体积十分小巧。与目前主流的Si MOSFET相比，INN100W032A的硬开关品质因数仅为其16%，软开关品质因数也仅为其39%，可大大降低在Buck/Boost应用中开关器件的损耗，提升效率。

来源：英诺赛科

2、三安光电

三安光电硅基GaN产品主要应用于快充适配器、服务器电源等，并拥有硅基GaN代工平台。其650V芯片代工平台已在消费电子领域广泛导入，与客户合作开发扩展至高可靠度的大功率工业电机、服务器以及汽车车载充电器等。高压900V器件已完成开发，并已导入到客户产品设计及系统验证。

（图片来源：三安光电2023半年报）

财报显示，泉州三安半导体研发与产业化项目（一期）项目主要从事GaN、砷化镓和特种封装业务，计划总投资金额约138亿元（含土地使用权），项目达产后，新增产能约892万片/年（折合倒装、垂直的产品产能446万片/年）和特种封装8.72KKK/年的生产能力。现有成熟产能方面，湖南三安半导体产业化项目主要从事碳化硅、硅基GaN等第三代化合物半导体的研发及产业化，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，总占地面积约1，000亩，总建筑面积超50万平米，投资总额160亿元（含土地使用权和流动资金），项目达产后，配套产能约36万片/年的生产能力。

3、华润微

华润微的碳化硅和GaN均规模上量，机构调研显示，华润微2023年上半年碳化硅和GaN产品销售收入同比增长约3.6倍，预计下半年的增速会继续提高。下游应用方面，华润微GaN产品主要应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主，在通讯、工控、照明和快充等领域与行业头部客户紧密合作，产品进入批量供应阶段。小 结GaN功率器件市场具有巨大的潜力和优势，但也面临一些挑战和限制。随着技术的不断进步和成本的降低，GaN功率器件有望在更多广泛领域应用，推动能源转换和电力管理的发展。 审核编辑 黄宇

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