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标题:Infineon(IR) IKFW50N60DH3XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司的IKFW50N60DH3XKSA1功率半导体IGBT,以其独特的TRENCH/FS技术,600V 53A的规格,以及TO247-3的封装形式,在电力转换和控制系统中发挥着重要的作用。 IKFW50N60DH3XKSA1是一款高性能的IGBT模块,其采用Infineon(IR)的TRENCH/FS技术,使得
标题:IXYS艾赛斯FID35-06C功率半导体IGBT 600V 38A 125W I4PAC5的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯FID35-06C功率半导体IGBT是一款高性能的600V 38A 125W IGBT模块,采用I4PAC5技术,具有高效、可靠、节能等优点。该器件广泛应用于各种电子设备中,如电源、电机控制、变频器等。 二、技术特点 I4PAC5技术是IXYS艾赛斯的一项创新,它通过优化芯片布局和散热设计,提高了IGBT的效率和可靠性。此外,该技术还降低了热阻,使得器
标题:Infineon(IR) IKFW60N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT:600V 50A TO247-3的技术和方案应用介绍 在电力电子领域,功率半导体器件的重要性不言而喻。Infineon(IR)的IKFW60N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT,以其出色的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。这款IGBT模块具有600V和50A的额定值,适用于各种工业和电源应用。 首先,我们来了解一下IKFW60N60DH3EXKSA1的基本技术参数。它采用TO-247-3封装,具
标题:IXYS艾赛斯IXRH40N120功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXRH40N120功率半导体IGBT是一款性能卓越的电子元件,它以其高效率、高可靠性以及低能耗的特点,在各种电子设备中发挥着重要的作用。这款IGBT的额定电压为1200V,电流容量为55A,总功率为300W,封装形式为TO247AD。 首先,我们来了解一下IXRH40N120IGBT的技术特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的微通道技术,使得其导通电阻低,从而提高了效率。同时,它还具有较高
标题:IXYS艾赛斯IXGH15N120CD1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGH15N120CD1功率半导体IGBT,作为一种重要的电力电子器件,在许多领域中发挥着关键作用。本文将介绍IXGH15N120CD1的特性和应用。 一、技术特性 IXGH15N120CD1是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压高达1200V,电流容量为30A,最大功率为150W。该器件具有高开关速度、低导通压
标题:Infineon(IR) IKZ50N65ES5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IKZ50N65ES5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,采用TRENCH 650V 80A TO247-4封装,具有卓越的性能和可靠性。这款IGBT在各种工业和电子设备中具有广泛的应用前景。 首先,IKZ50N65ES5XKSA1的电气特性使其成为一款出色的功率开关元件。它能在650V的电压下实现高电流容量,高达
标题:Infineon(IR) IKW50N65ES5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW50N65ES5XKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的功率器件,在许多领域中发挥着关键作用。本文将介绍该器件的技术特点、应用方案以及实际应用案例。 首先,IKW50N65ES5XKSA1采用Infineon(IR)独特的TRENCH 650V技术,具有高耐压、大电流、低导通电阻等优点。该器件可承受高
标题:IXYS艾赛斯IXGX120N60B功率半导体IGBT 600V 200A 660W TO247的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXGX120N60B功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,它具有高效率、高可靠性、耐高温等特点,被广泛应用于各种电力电子设备中。本文将介绍IXGX120N60B功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先,IXGX120N60B功率半导体IGBT采用了600V的技术规格,具有高输入电压范围,适用于各种电力电子设备中。同时,该元件采用了先进的工艺技
标题:Infineon(IR) AIKW20N60CTXKSA1功率半导体IC DISCRETE 600V TO247-3的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体IC在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR) AIKW20N60CTXKSA1功率半导体IC,以其独特的性能和优势,在市场上占据着重要的地位。本文将详细介绍该IC的技术特点和方案应用。 首先,我们来了解一下AIKW20N60CTXKSA1的基本技术参数。该IC是一款600V的N沟道场效应晶体管,采用TO247-
标题:IXYS艾赛斯IXSK35N120AU1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXSK35N120AU1是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),其工作电压高达1200V,电流容量为70A,总功率输出可达300W,适用于各种需要大功率转换的电子设备。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXSK35N120AU1的特性。这款IGBT采用了TO264封装形式,具有高输入阻抗、低饱和电压、低损耗、高开关速度等优点。